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电子元器件详细资料 » IC[20272] » FDS3601
型号:FDS3601类别:FET - 阵列制造商:Fairchild Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH DUAL 100V 1.3A 8SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH DUAL 100V 1.3A 8SOIC
系列PowerTrench®
制造商Fairchild Semiconductor
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流_连续漏极(Id)0a025000C1.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C480 毫欧 @ 1.3A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs5nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds153pF @ 50V
功率_最大900mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
深圳市海虹微电子有限公司赵小姐086-0755-83291010 83678410
深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市潮南大宇电子有限公司 陈小姐/陈先生0755-23956875\23956877
深圳市楷瑞达科技电子有限公司朱先生13528893675
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